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Si7634BDP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
70
V GS = 10 thru 4 V
56
42
28
25 °C, unless otherwise noted
1.5
1.2
0.9
0.6
T C = 25 °C
T C = 125 °C
14
0
3V
0.3
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0075
0.0067
0.0059
0.0051
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
3800
3040
2280
1520
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.0043
0.0035
760
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
6
12
18
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 15 A
8
6
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0.0
9.6
19.2
28.8
38.4
48.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 74031
S-80439-Rev. C, 03-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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